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GT090N06S
N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:14A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT090N06S
- 商品编号
- C3038584
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 385pF |
商品概述
TF060P03K将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDSON）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- VDS 60V
- ID (VGS = 10 V 时)14A -RDS(ON)(VGS = 10 V 时)< 8 mΩ -RDS(ON)(VGS = 4.5 V 时)< 12.5 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器