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G7P03S
1个P沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G7P03S
- 商品编号
- C3038581
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.253nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 181pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |