温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G26P04D5
P沟道增强型功率MOSFET,电流:-26A,耐压:-40V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- G26P04D5采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G26P04D5
- 商品编号
- C3038564
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.479nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 204pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 274pF |