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G70P02K
P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道 耐压:15V 电流:70A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G70P02K
- 商品编号
- C3038558
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.869nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.263nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET采用高单元密度工艺。低导通电阻RDS(on)可确保将功率损耗降至最低并节约能源，使该器件非常适合用于电源管理电路。典型应用包括低电压应用，以及便携式和电池供电产品（如计算机、打印机和PCMCIA卡、移动电话和无绳电话）的电源管理。
商品特性
- VDS -15V
- ID(VGS = -10 V时) -70A
- RDS(ON)(VGS = -4.5V时) < 8.5 mΩ
- RDS(ON)(VGS = -2.5V时) < 12 mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器