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G75P04K
1个P沟道 耐压:40V 电流:70A
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- 描述
- G75P04K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G75P04K
- 商品编号
- C3038559
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 500pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 714pF |
商品概述
TPM0730N5X是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 TPM0730N5X符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS测试，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 高密度单元设计,实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高EAS下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装,散热性能良好
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源开关-大电流应用中的负载开关-DC/DC转换器