温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G70P04K
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:40V 电流:70A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G70P04K
- 商品编号
- C3038560
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.714nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 456pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 446pF |
商品概述
G65P06D5采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS -60V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = -10 V时） -65A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -10 V时） < 20 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关-DC/DC转换器