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RT2519WGQV实物图
  • RT2519WGQV商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RT2519WGQV

800mV~5.5V 1A 6V

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描述
是高性能正低压差(LDO)稳压器,适用于要求非常低的压差和高达1A的超高电源纹波抑制比(PSRR)的应用。输入电压范围为2.2V至6V,输出电压可编程低至0.8V。P-MOSFET开关仅需4.7μF陶瓷输出电容即可提供出色的瞬态响应。外部使能控制可有效降低关断时的功耗,通过NR引脚上的旁路电容可进一步提高输出抗噪性。此外,在负载、线路和温度变化时,输出调节精度为±3%。该器件采用VDFN-8Al 3x3封装,工作温度范围为 -40°C至125°C。
品牌名称
RICHTEK(立锜)
商品型号
RT2519WGQV
商品编号
C3034121
商品封装
VDFN-8AL(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.105克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录线性稳压器(LDO)
输出类型可调
工作电压6V
输出电压800mV~5.5V
输出电流1A
电源纹波抑制比(PSRR)63dB@(1kHz)
属性参数值
压差370mV@(1A)
静态电流(Iq)350uA
噪声15.1uVrms
特性带使能;过热保护;过流保护
工作温度-40℃~+125℃@(Tj)
输出极性正极

商品概述

RT2519W是一款高性能正低压差(LDO)稳压器,专为需要极低压差和高达1A时超高电源纹波抑制比(PSRR)的应用而设计。输入电压范围为2.2V至6V,输出电压可编程至低至0.8V。P沟道MOSFET开关仅需一个4.7μF陶瓷输出电容即可提供出色的瞬态响应。外部使能控制可在关断时有效降低功耗,通过NR引脚的旁路电容可进一步提高输出抗噪能力。此外,RT2519W在电源、负载和温度变化时具有精确的3%输出稳压特性。该器件采用VDFN - 8AL 3x3封装,工作温度范围为 - 40°C至125°C。

商品特性

  • 极低压差:1A时典型值为170mV
  • 超高PSRR:1kHz时为63dB,1MHz时为38dB
  • 输入电压范围:2.2V至6V
  • 可调输出电压:0.8V至5.5V
  • 工作结温范围: - 40°C至±125°C
  • 出色的抗噪能力
  • 对负载和电源瞬变响应迅速
  • 使用4.7μF输出陶瓷电容时稳定
  • 在负载、电源、工艺和温度变化时输出电压精度达3%
  • 使能控制
  • 过流保护
  • 过温保护

应用领域

  • 电信/网络卡
  • 主板/外设卡
  • 工业应用
  • 无线基础设施
  • 机顶盒
  • 医疗设备
  • 笔记本电脑
  • 电池供电系统

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(1500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1500个/圆盘

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