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LBC856ADW1T1G实物图
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LBC856ADW1T1G

PNP 电流:100mA 电压:65V

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描述
这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用SOT-363/SC-88封装,该封装专为低功率表面贴装应用而设计。产品材料符合RoHS要求。S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制橙色要求的应用,通过AEC-G101认证且具备IPFA能力。
商品型号
LBC856ADW1T1G
商品编号
C383194
商品封装
SOT-363(SC-88)​
包装方式
编带
商品毛重
0.014克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)65V
耗散功率(Pd)380mW
直流电流增益(hFE)90
属性参数值
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)15nA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量2个PNP

数据手册PDF