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IPD95R450P7
1个N沟道 耐压:950V 电流:14A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD95R450P7
- 商品编号
- C3013880
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.36mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.053nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品概述
AP50N02DF采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 53A
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 8.5 mΩ（典型值：6.2 mΩ）
应用领域
- 3.3V MCU驱动
- 负载开关
- 不间断电源