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APG130N06D
60V, 130A, 60V N-SGT 增强模式MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- APG130N06D
- 商品编号
- C3011341
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.377nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.666nF |
商品概述
APG130N06D采用先进的SGT MOSFET技术,可提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具有更好的耐用性,适用于
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)和品质因数FOM
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性,适用于逆变器
应用领域
-消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流电源-同步整流应用