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4N65L-ML-TF3-T
N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- UTC 4N65-ML 是一款高压功率 MOSFET，采用先进的沟槽 MOSFET 设计，具备更优的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 4N65L-ML-TF3-T
- 商品编号
- C3008360
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20 V
- 漏极电流（ID） = 20 A（栅源电压VGS=4.5V）
- 导通电阻RDS(ON) < 5.5mΩ（栅源电压VGS = 4.5V）
- 导通电阻RDS(ON) < 7mΩ（栅源电压VGS = 2.5V）