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2N7002
N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
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- 描述
- 特性：V(BR)DSS = 60V，I = 115mA，RDS(ON) < 5Ω (VGS = 10V)，RDS(ON) < 7Ω (VGS = 5V)。 高密度单元设计，实现低RDS(ON)。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- 2N7002
- 商品编号
- C3008370
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V；7Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- VDS = 60V
- ID = 300mA
- RDS(ON) < 3Ω (VGS = 10V)
- RDS(ON) < 4Ω (VGS = 5V)
- 采用高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
- 高饱和电流能力
应用领域
- 便携式设备的负载开关