温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
7N70G-TC-TN3-R
N沟道 耐压:700V 电流:7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 是一款高压功率 MOSFET，其设计旨在提供更优异的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及优异的雪崩特性。该功率 MOSFET 通常用于电源、PWM 电机控制、高效交流/直流转换器和桥式电路等高速开关应用。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 7N70G-TC-TN3-R
- 商品编号
- C3008364
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.445克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.035nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
UTC 2N65-LC1 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 UTC 先进技术，为客户提供最小导通电阻和卓越的开关性能。 UTC 2N65-LC1 通常应用于低功率开关模式电源设备和电子镇流器。
商品特性
- RDS(ON) ≤ 5.5 Ω @ VGS = 10V, ID = 1.0A
- 高开关速度
- 100% 雪崩测试
应用领域
- 低功率开关模式电源设备
- 电子镇流器