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2N65L-TM3-T实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2N65L-TM3-T

N沟道 耐压:650V 电流:2A

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描述
UTC 2N65-LC1 是一款 N 沟道功率 MOSFET,采用 UTC 的先进技术,为客户提供最低导通电阻和卓越的开关性能。
品牌名称
UTC(友顺)
商品型号
2N65L-TM3-T
商品编号
C3008362
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
0.506克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))5.5Ω@10V
耗散功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)7.5nC@10V
输入电容(Ciss)263pF
反向传输电容(Crss)2.9pF
工作温度-40℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)30pF

商品概述

UTC 10N65-TC是一款高压大电流功率MOSFET,具备更优异的特性,如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效AC-DC转换器和桥式电路等高速开关应用中。

商品特性

  • RDS(ON) ≤ 0.9 Ω @ VGS = 10V,ID = 5.0A
  • 快速开关
  • 改善的dv/dt能力

应用领域

  • 电源
  • PWM电机控制
  • 高效AC-DC转换器
  • 桥式电路

数据手册PDF