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AOSP66923
1个N沟道 耐压:100V 电流:12A
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- 描述
- Trench Power MOSFET-AlphaSGTTM 技术。低导通电阻 RDS(ON)。逻辑电平驱动。出色的 QG x RDS(ON) 乘积（品质因数 FOM）。符合 RoHS 和无卤标准
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOSP66923
- 商品编号
- C2997878
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF |
商品特性
- 30V/70A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) = 7 mΩ（典型值）
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 9 mΩ（典型值）
- 低RDS(ON)
- 超高密度单元设计
- 可靠耐用
应用领域
-高频开关和同步整流