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AOSP66923

1个N沟道 耐压:100V 电流:12A

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描述
Trench Power MOSFET-AlphaSGTTM 技术。低导通电阻 RDS(ON)。逻辑电平驱动。出色的 QG x RDS(ON) 乘积(品质因数 FOM)。符合 RoHS 和无卤标准
品牌名称
AOS
商品型号
AOSP66923
商品编号
C2997878
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.14克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))19.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))2.6V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
输入电容(Ciss)2.1nF
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)480pF

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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