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AON6226
1个N沟道 耐压:100V 电流:48A
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- 描述
- Trench Power AlphaSGTTM技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS和无卤标准
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON6226
- 商品编号
- C2997881
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.075克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 245pF |
商品概述
AP6009S采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 9A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 18 mΩ（典型值：14 mΩ）
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 21 mΩ（典型值：17.5 mΩ）
- 高密度单元设计，实现极低的导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 栅漏电荷低，可降低开关损耗
应用领域
-用于AC/DC快速充电器的同步整流