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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- -30V/-4.2A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) = 45 mΩ（典型值）
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 53 mΩ（典型值）
- 当VGS = -2.5V时，RDS(ON) = 70 mΩ（典型值）
- 低RDS(ON)
- 超高密度单元设计
- 可靠耐用
应用领域
- 负载开关