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AON3419
1个P沟道 耐压:30V
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- 描述
- 结合先进的沟槽 MOSFET 技术和低电阻封装，可提供极低的 RDS(ON)。适用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON3419
- 商品编号
- C2997884
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 20V/5A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 25mΩ（典型值）
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) = 35mΩ（典型值）
- 低RDS(ON)
- 超高密度单元设计
- 可靠耐用
应用领域
- 负载开关