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RMC65R650SN

RMC65R650SN

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商品型号
RMC65R650SN
商品编号
C2988257
商品封装
TO-220F-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.275克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
导通电阻(RDS(on))650mΩ@10V
耗散功率(Pd)32W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)13.3nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。由此产生的器件具有极低的导通电阻,特别适用于需要高功率密度和卓越效率的应用。

商品特性

  • 极低的品质因数RDS(on) × Qg
  • 经过100%单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF