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RMA60R1K0SN

RMA60R1K0SN

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商品型号
RMA60R1K0SN
商品编号
C2988260
商品封装
TO-252-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.37克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))1Ω@10V
耗散功率(Pd)37W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)315pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)27pF

商品概述

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术,它根据超结原理设计。由此产生的器件具有极低的导通电阻,特别适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。

商品特性

  • 极低的品质因数RDS(on) × Qg
  • 经过100%单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF