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ZXMP6A16DN8QTA实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZXMP6A16DN8QTA

双通道,电流:-3.9A,耐压:-60V

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
ZXMP6A16DN8QTA
商品编号
C2988282
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.264克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3.9A
导通电阻(RDS(on))125mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)24.2nC@10V
输入电容(Ciss)1.021nF
反向传输电容(Crss)56.4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)83.1pF

商品概述

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术,它根据超结原理设计。由此产生的器件具有极低的导通电阻,特别适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。

商品特性

  • 极低的品质因数RDS(on) × Qg
  • 经过100%单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF