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RMD070N10S
N沟道,电流:70A,耐压:100V
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- 商品型号
- RMD070N10S
- 商品编号
- C2988262
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 102W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.041nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 486pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用分裂栅沟槽技术设计。由此制成的器件具有极低的导通电阻,特别适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品特性
- 极低的品质因数RDS(on) × Qg
- 100%进行了非钳位电感开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电机驱动器-DC-DC转换器-不间断电源(UPS)