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RMD120N08S
N沟道,电流:52A,耐压:80V
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- 商品型号
- RMD120N08S
- 商品编号
- C2988267
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.59nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET采用分裂栅沟槽技术设计。由此制成的器件具有极低的导通电阻,特别适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品特性
- 极低的品质因数RDS(on) × Qg
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机驱动器
- DC-DC转换器
- 不间断电源(UPS)