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RMA65R600BN
RMA65R600BN
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- 商品型号
- RMA65R600BN
- 商品编号
- C2988264
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.365克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。由此产生的器件具有极低的导通电阻,特别适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 极低的品质因数RDS(on) × Qg
- 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-功率因数校正(PFC)-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)