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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RMC60R1K0SN

RMC60R1K0SN

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商品型号
RMC60R1K0SN
商品编号
C2988258
商品封装
TO-220F-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.42克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-
功率(Pd)30W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)-
输入电容(Ciss@Vds)-
反向传输电容(Crss@Vds)-
工作温度-
配置-

商品概述

这款功率MOSFET采用分裂栅沟槽技术设计。由此制成的器件具有极低的导通电阻,特别适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。

商品特性

  • 极低的品质因数RDS(on) × Qg
  • 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 电机驱动器
  • DC-DC转换器
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF