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IPB044N15N5ATMA1
1个N沟道 耐压:150V 电流:174A
- 描述
- 特性：出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（品质因数）。 极低的导通电阻RDS(on)。 极低的反向恢复电荷（Qrr）。 175℃工作温度。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB044N15N5ATMA1
- 商品编号
- C2987184
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.033333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 174A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 2nF |
商品特性
- 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 极低的反向恢复电荷(Qrr)
- 工作温度达175 °C
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 非常适合高频开关和同步整流
- 按照IEC61249-2-21标准为无卤产品
应用领域
- 负载开关
- 电源管理
- LED 背光源
- 网络应用