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TPW65R075DFD实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPW65R075DFD

650V,电流:45A,耐压:700V

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品牌名称
无锡紫光微
商品型号
TPW65R075DFD
商品编号
C2985888
商品封装
TO-247S​
包装方式
管装
商品毛重
8.33克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))75mΩ@10V
耗散功率(Pd)312W
阈值电压(Vgs(th))4.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)81nC@10V
输入电容(Ciss)4.64nF
反向传输电容(Crss)3.55pF@100V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

MP50N06采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON)),适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 60 V,漏极电流(ID) = 50 A
  • 栅源电压(VGS) = 10 V时,漏源导通电阻(Rdson) ≤ 14 mΩ(典型值:11.0 mΩ)
  • 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,漏源导通电阻(Rdson) ≤ 16 mΩ(典型值:12.5 mΩ)
  • 低导通电阻
  • 低反向传输电容
  • 100% 单脉冲雪崩能量测试

应用领域

  • 功率开关应用
  • 负载开关

数据手册PDF