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NTHL019N60S5F
N沟道 耐压:600V 电流:75A
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- 描述
- SUPERFET V MOSFET FRFET系列优化了体二极管的反向恢复性能，能够去掉额外的元件，并提高诸如移相全桥（PSFB）和 LLC 等软开关应用的系统可靠性。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTHL019N60S5F
- 商品编号
- C2985894
- 商品封装
- TO-247-3LD
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 568W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V@15.7mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 252nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.4nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
DMN1054UCB4是一款沟槽MOSFET，旨在最大限度降低导通损耗并实现超快开关速度，非常适合高效功率传输。采用芯片级封装（CSP），通过将低热阻与单位占位面积内极低的RDS(ON)相结合来提高功率密度。
商品特性
- 采用最低导通电阻的沟槽CSP技术
- RDS(ON) = 35 mΩ，可最大限度降低导通损耗
- Qg = 9.6 nC，实现超快开关
- VGS(TH)典型值为0.6 V，具有低开启电压
- CSP封装，占位面积为0.8mm × 0.8mm
- 高度为0.375mm，实现薄型设计
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
应用领域
- DC-DC转换器-电池管理-负载开关