温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GL6009AS-8
1个N沟道 耐压:60V 电流:9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- GL6009AS - 8采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。其封装形式为SOP - 8，符合RoHS标准
- 品牌名称
- GL(光磊)
- 商品型号
- GL6009AS-8
- 商品编号
- C2985896
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品特性
- 100V/240A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) = 2.5 mΩ（典型值）
- 经过100%雪崩测试
- 可靠且耐用
- 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 功率开关应用
- 不间断电源
- 电机控制