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M48Z58Y-70PC1

5V 64kbit ZEROPOWER SRAM

描述
5V、64Kbit (8Kb x 8) 零功耗 SRAM
商品型号
M48Z58Y-70PC1
商品编号
C2971683
商品封装
PDIP-28​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量64Kbit
工作电压4.5V~5.5V
读写时间70ns
属性参数值
工作温度0℃~+70℃
工作电流50mA
待机电流3mA
功能特性自动掉电功能;内置写抑制功能

商品概述

M48Z58/Y ZEROPOWER RAM是一款8kbit x8非易失性静态RAM,在单个芯片上集成了电源故障取消选择电路和电池控制逻辑。该单片芯片有两种特殊封装,可提供高度集成的电池备份存储解决方案。M48Z58/Y是非易失性的,其引脚和功能与任何JEDEC标准8kbit x8 SRAM等效,还可轻松适配许多ROM、EEPROM和EEPROM插座,提供PROM的非易失性,且无需特殊写时序或对可执行的写次数进行限制。28引脚600mil DIP CAPHAT封装在单个封装中容纳M48Z58/Y芯片和长寿命锂纽扣电池。28引脚330mil SOIC封装两端有镀金触点,可直接连接到包含电池的独立SNAPHAT外壳。独特的设计允许SNAPHAT电池封装在表面贴装工艺完成后安装在SOIC封装顶部。回流后插入SNAPHAT外壳可防止因器件表面贴装所需的高温导致潜在的电池损坏。SNAPHAT外壳带有键,可防止反向插入。SOIC和电池封装分开装在塑料防静电管或卷带形式中。对于28引脚SOIC,电池封装(如SNAPHAT)的部件号为“M4Z28-BR00SH1”。

商品特性

  • 集成超低功耗SRAM、电源故障控制电路和电池
  • 读周期时间等于写周期时间
  • 自动电源故障芯片取消选择和写保护
  • 写保护电压(V_PFD=电源故障取消选择电压):M48Z58:V_CC=4.75至5.5V,4.5V≤V_PFD≤4.75V;M48Z58Y:4.5至5.5V,4.2V≤V_PFD≤4.5V
  • CAPHAT DIP封装中包含独立电池
  • 封装包括28引脚SOIC和SNAPHAT顶部(需单独订购),SOIC封装为包含电池的SNAPHAT顶部提供直接连接
  • 引脚和功能兼容JEDEC标准8kbit x8 SRAM
  • RoHS合规
  • 无铅二级互连

数据手册PDF