ITA6V1U1

瞬态抑制二极管阵列通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。 ITA系列结合了针对高能脉冲的高浪涌能力和针对静电放电（ESD）的高电压性能。

• 高浪涌能力瞬态抑制二极管阵列：I_PP = 40 A（8/20 μs）
• 峰值脉冲功率：300 W（8/20 μs）
• 多达6个双向瞬态抑制功能
• 在高电流水平下具有低钳位因子（V_CL/V_BR）
• 低泄漏电流
• 高达15 kV的ESD保护
• 符合IEC 61000 - 4 - 2 4级标准：15 kV（空气放电），8 kV（接触放电）
• 符合MIL STD 883G - 方法3015 - 7：3B类，25 kV（人体模型）

• 数据传输线保护
• 高达5.5 V的单极性信号
• ± 2.5 V范围内的双极性信号