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STD1NK60T4
1个N沟道 耐压:600V 电流:1A
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- 描述
- 这款高压器件是采用 SuperMESH 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET，该技术是对成熟的 PowerMESH 技术的优化。除了显著降低导通电阻外，这款器件还针对要求最为严苛的应用进行设计，以确保具备高水平的 dv/dt 能力。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD1NK60T4
- 商品编号
- C361030
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.523克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 156pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23.5pF |
商品概述
这款高压器件是采用 SuperMESH™ 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET，该技术是对成熟的 PowerMESH™ 技术的优化。除了显著降低导通电阻外，该器件还针对最严苛的应用场景，确保具备高水平的 dv/dt 能力。
商品特性
- 极高的 dv/dt 能力
- 改进的 ESD 能力
- 100% 雪崩测试
- 栅极电荷最小化
应用领域
- 低功率电池充电器
- 开关模式低功率电源 (SMPS)
- 低功率镇流器、紧凑型荧光灯 (CFL)