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STD2N95K5
1个N沟道 耐压:950V 电流:2A
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- 描述
- N沟道950 V、4.2 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD2N95K5
- 商品编号
- C361031
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.519克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 105pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
这些N沟道齐纳保护功率MOSFET采用意法半导体（ST）创新的耐雪崩超高压SuperMESH™ 5技术设计，基于一种创新的专有垂直结构。这使得导通电阻大幅降低，栅极电荷超低，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- TO - 220封装，全球最佳导通电阻RDS(on)
- 全球最佳品质因数（FOM）
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用