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STP65NF06
1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
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- 描述
- 这款功率MOSFET是独特的“单特征尺寸”条形工艺的最新发展成果。由此产生的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、坚固的雪崩特性和不太关键的对准步骤，因此具有显著的制造再现性。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP65NF06
- 商品编号
- C361037
- 商品封装
- TO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用独特的“单一特征尺寸”条形工艺，是该工艺的最新成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性，且对准步骤要求较低，因此具备卓越的制造重复性。
商品特性
- 标准电平栅极驱动
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用
- DPAK
- TO - 220