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STS2DNF30L
2个N沟道 耐压:30V 电流:3A
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- 描述
- N沟道30V - 0.09 Ohm - 3A - SO-8 STripFET(TM) II功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STS2DNF30L
- 商品编号
- C361046
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.226克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 121pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性，且对准步骤要求较低，因此具备卓越的制造可重复性。
商品特性
- 标准外形，便于自动表面贴装组装
- 低阈值栅极驱动
应用领域
- 开关应用
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