PN8160NEC-T1R

PN8160内部集成了电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR - PWM、QR - PFM、Burst - mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。PN8160为需要超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个先进的实现平台，非常适合六级能效、CoC Tier 2应用。

• 内置650V高雪崩能力的功率MOSFET
• QR - PWM、QR - PFM、Burst - mode混合模式提高效率
• 自适应PWM开关频率65/85kHz，减小变压器体积
• 外围精简，无需启动电阻及CS检测电阻
• 高低压脚位两侧排列提高安全性
• 内置高压启动，空载待机功耗<50mW @ 230VAC
• 改善EMI的频率调制技术
• 供电电压8~40V，适合宽输出电压应用
• 内置线电压补偿和斜坡补偿
• 优异全面的保护功能
  • 过温保护 (OTP)
  • 输出过压保护
  • 逐周期过流保护 (OCP)
  • 输出开/短路保护
  • 专利的DMG电阻开/短路保护(Latch模式)
  • 次级整流管短路保护
  • 过负载保护（OLP）

• 待机电源
• 开放式开关电源
• 适配器