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CJAC150N03A
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- CJAC150N03A采用沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJAC150N03A
- 商品编号
- C2963225
- 商品封装
- PDFNWB5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.8nF |
商品概述
该器件采用意法半导体（ST）专有的STripFET技术的第七代设计规则，并配备全新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出最低的导通电阻（RDS(on)）。
商品特性
- N沟道增强型
- 低栅极电荷
- 100%雪崩额定
应用领域
- 开关应用