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CY7C1356CV25-250AXC实物图
  • CY7C1356CV25-250AXC商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1356CV25-250AXC

CY7C1356CV25-250AXC

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商品型号
CY7C1356CV25-250AXC
商品编号
C2955453
商品封装
LQFP-100(14x20)​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量9Mbit
工作电压2.375V~2.625V
读写时间2.8ns
属性参数值
工作温度0℃~+70℃
工作电流250mA
待机电流40mA
功能特性边界扫描(JTAG)功能

商品概述

CY7C1354CV25 和 CY7C1356CV25 分别是 2.5V、256K x 36 和 512K x 18 的同步流水线突发 SRAM,具有无总线延迟(NoBL)逻辑。它们旨在支持无等待状态的无限真正背靠背读写操作。CY7C1354CV25 和 CY7C1356CV25 配备了先进的(NoBL)逻辑,可实现连续的读写操作,数据在每个时钟周期传输。此特性显著提高了需要频繁读写转换的系统中的数据吞吐量。CY7C1354CV25 和 CY7C1356CV25 与 ZBT 设备引脚兼容且功能等效。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器。所有数据输出通过由时钟上升沿控制的输出寄存器。时钟输入由时钟使能(CEN)信号限定,当该信号无效时,操作暂停并延长前一个时钟周期。写操作由字节写选择(CY7C1354CV25 的 BW(a) - BW(d) 和 CY7C1356CV25 的 BW(a) - BW(b))和写使能(WE)输入控制。所有写操作均通过片上同步自定时写电路进行。三个同步芯片使能(CE1、CE2、CE3)和一个异步输出使能(OE)便于进行存储体选择和输出三态控制。为避免总线争用,在写序列的数据部分期间,输出驱动器同步三态化。

商品特性

  • 与 ZBT 引脚兼容且功能等效,支持 250MHz 无等待状态的总线操作,可用速度等级为 250、200 和 166MHz
  • 内部自定时输出缓冲控制,无需使用异步 OE
  • 完全寄存器化(输入和输出)以实现流水线操作
  • 具备字节写能力
  • 单 2.5V 电源(VDD)
  • 快速时钟到输出时间:2.8ns(250MHz 器件)
  • 时钟使能(CEN)引脚可暂停操作
  • 同步自定时写操作
  • 提供无铅 100 引脚 TQFP 封装、无铅和有铅 119 球 BGA 封装以及 165 球 FBGA 封装
  • 符合 IEEE 1149.1 JTAG 边界扫描
  • 具备突发能力,支持线性或交错突发顺序
  • 提供“ZZ”睡眠模式选项和停止时钟选项

数据手册PDF