CY7C1356CV25-250AXC
CY7C1356CV25-250AXC
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- 商品型号
- CY7C1356CV25-250AXC
- 商品编号
- C2955453
- 商品封装
- LQFP-100(14x20)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 9Mbit | |
| 工作电压 | 2.375V~2.625V | |
| 读写时间 | 2.8ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 250mA | |
| 待机电流 | 40mA | |
| 功能特性 | 边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
CY7C1354CV25 和 CY7C1356CV25 分别是 2.5V、256K x 36 和 512K x 18 的同步流水线突发 SRAM,具有无总线延迟(NoBL)逻辑。它们旨在支持无等待状态的无限真正背靠背读写操作。CY7C1354CV25 和 CY7C1356CV25 配备了先进的(NoBL)逻辑,可实现连续的读写操作,数据在每个时钟周期传输。此特性显著提高了需要频繁读写转换的系统中的数据吞吐量。CY7C1354CV25 和 CY7C1356CV25 与 ZBT 设备引脚兼容且功能等效。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器。所有数据输出通过由时钟上升沿控制的输出寄存器。时钟输入由时钟使能(CEN)信号限定,当该信号无效时,操作暂停并延长前一个时钟周期。写操作由字节写选择(CY7C1354CV25 的 BW(a) - BW(d) 和 CY7C1356CV25 的 BW(a) - BW(b))和写使能(WE)输入控制。所有写操作均通过片上同步自定时写电路进行。三个同步芯片使能(CE1、CE2、CE3)和一个异步输出使能(OE)便于进行存储体选择和输出三态控制。为避免总线争用,在写序列的数据部分期间,输出驱动器同步三态化。
商品特性
- 与 ZBT 引脚兼容且功能等效,支持 250MHz 无等待状态的总线操作,可用速度等级为 250、200 和 166MHz
- 内部自定时输出缓冲控制,无需使用异步 OE
- 完全寄存器化(输入和输出)以实现流水线操作
- 具备字节写能力
- 单 2.5V 电源(VDD)
- 快速时钟到输出时间:2.8ns(250MHz 器件)
- 时钟使能(CEN)引脚可暂停操作
- 同步自定时写操作
- 提供无铅 100 引脚 TQFP 封装、无铅和有铅 119 球 BGA 封装以及 165 球 FBGA 封装
- 符合 IEEE 1149.1 JTAG 边界扫描
- 具备突发能力,支持线性或交错突发顺序
- 提供“ZZ”睡眠模式选项和停止时钟选项
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