CY7C1359A-150AC

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1359A-150AC
商品编号: C2955436
商品封装: LQFP-100(14x20)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

赛普拉斯同步突发静态随机存取存储器系列采用高速、低功耗CMOS设计，运用先进的三层多晶硅、双层金属技术。每个存储单元由四个晶体管和两个高值电阻组成。所有同步输入由正边沿触发的时钟输入（CLK）控制的寄存器选通。同步输入包括所有地址、所有数据输入、地址流水线片选（CE）、深度扩展片选（CE₂和CE₂）、突发控制输入（ADSC、ADSP和ADV）、写使能（WEL、WEH和BWE）、全局写（GW）和数据输入使能（DEN）。异步输入包括突发模式控制（MODE）、输出使能（OE）和匹配输出使能（MOE）。数据输出（Q）和匹配输出（MATCH）分别由OE和MOE使能，也是异步的。地址和片选通过地址状态处理器（ADSP）或地址状态控制器（ADSC）输入引脚进行寄存。后续的突发地址可由突发推进引脚（ADV）控制在内部生成。数据输入通过数据输入使能（DEN）和片选引脚（CE、CE₂和CE₂）进行寄存。数据输入寄存器的输出与存储阵列中的数据进行比较，并生成匹配信号。匹配输出被选通到流水线寄存器中，并在时钟（CLK）的下一个上升沿释放到匹配输出引脚。地址、数据输入和写控制在片上进行寄存，以启动自定时写周期。写周期的宽度可以为一到两个字节，由写控制输入控制。单个字节写允许写入单个字节。WEL控制DQ1 - DQ9，WEH控制DQ10 - DQ18。只有当BWE为低电平时，WEL和WEH才能有效。当GW为低电平时，会写入所有字节。CY7C1359C/GVT71256T18采用+3.3V电源供电，输出电源为+2.5V或+3.3V。所有输入和输出都与LVTTL兼容。该器件非常适合用作高达8MB二级缓存的地址标签RAM。

商品特性

快速匹配时间：3.5、3.8、4.0和4.5纳秒
快速时钟速度：166、150、133和100兆赫兹
快速输出使能访问时间：3.5、3.8、4.0和5.0纳秒
流水线数据比较器
通过数据输入使能控制数据输入寄存器加载
核心电源供应：3.3伏，容差-5%和+10%
输入/输出电源供应：2.5伏或3.3伏
除输入/输出外，输入耐受5伏电压
所有输入和输出端接钳位二极管至VSS
共用数据输入和数据输出
JTAG边界扫描
字节写使能和全局写控制
三个芯片使能用于深度扩展和地址流水线
地址、数据和控制寄存器
内部自定时写周期
突发控制引脚（交错或线性突发序列）
便携式应用的自动断电功能
薄型JEDEC标准100引脚薄型四方扁平封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	4Mbit
	读写时间	3.8ns

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	275mA
	待机电流	20mA
	功能特性	自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能