CY7C1371BV25-100AC
CY7C1371BV25-100AC
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- 商品型号
- CY7C1371BV25-100AC
- 商品编号
- C2955296
- 商品封装
- LQFP-100(14x20)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 18Mbit | |
| 工作电压 | 2.375V~2.625V | |
| 读写时间 | 8.5ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 190mA | |
| 待机电流 | 30mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能;边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
CY7C1371BV25和CY7C1373BV25分别是2.5V、512K×36和1M×18的同步直通突发静态随机存取存储器(SRAM),专门设计用于支持无等待状态的无限连续读写操作。CY7C1371BV25/CY7C1373BV25配备了先进的无总线延迟(NoBL)逻辑,可在每个时钟周期传输数据的情况下实现连续读写操作。这一特性显著提高了通过SRAM的数据吞吐量,特别是在需要频繁进行写/读转换的系统中。CY7C1371BV25/CY7C1373BV25与ZBT设备引脚兼容且功能等效。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器。时钟输入由时钟使能(CEN)信号限定,当该信号无效时,操作暂停并延长前一个时钟周期。时钟上升沿后的最大访问延迟为7.5 ns(117-MHz设备)。写操作由字节写选择(CY7C1371BV25的BWS(a,b,c,d)上划线和CY7C1373BV25的BWS(a,b)上划线)和写使能(WE)输入控制。所有写操作都通过片上同步自定时写电路进行。如果不使用ZZ,可以将其接地。同步片选使能(TQFP上的CE1上划线、CE2、CE3上划线,BGA上的CE1上划线)和异步输出使能(OE上划线)便于进行存储体选择和输出三态控制。为避免总线冲突,在写序列的数据部分,输出驱动器同步进入三态。
商品特性
- 引脚与ZBT设备兼容且功能等效
- 支持117-MHz总线操作,零等待状态,每个时钟周期传输数据
- 内部自定时输出缓冲控制,无需使用异步OE
- 用于直通操作的寄存器输入
- 字节写功能
- 通用I/O架构
- 单2.5V ±5%电源
- 快速时钟到输出时间
- 7.5 ns(117-MHz设备)
- 8.5 ns(100-MHz设备)
- 10 ns(83-MHz设备)
- 时钟使能(CEN)引脚可暂停操作
- 同步自定时写
- 提供100引脚TQFP和119球BGA封装
- 突发能力 - 线性或交错突发顺序
- BGA封装版本支持JTAG边界扫描
- 使用ZZ模式或CE取消选择可实现自动掉电
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