CY7C1370D-200AXCKJ
CY7C1370D-200AXCKJ
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- 商品型号
- CY7C1370D-200AXCKJ
- 商品编号
- C2955311
- 商品封装
- LQFP-100(14x20)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 18Mbit | |
| 工作电压 | 3.135V~3.6V | |
| 读写时间 | 3ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 300mA | |
| 待机电流 | 70mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1370S和CY7C1372S分别是3.3V、512K × 36和1M × 18同步流水线突发静态随机存取存储器(SRAM),具备无总线延迟(NoBL)逻辑。它们旨在支持无等待状态的无限连续读写操作。CY7C1370S和CY7C1372S配备了先进的(NoBL)逻辑,可在每个时钟周期传输数据,实现连续读写操作。此特性显著提高了需要频繁读写转换的系统的数据吞吐量。CY7C1370S和CY7C1372S与ZBT设备引脚兼容且功能等效。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器,所有数据输出通过由时钟上升沿控制的输出寄存器。时钟输入由时钟使能(CEN)信号限定,当该信号无效时,操作暂停并延长前一个时钟周期。写操作由字节写选择(CY7C1370S的BW(上划线)a - BW(上划线)d和CY7C1372S的BW(上划线)a - BW(上划线)b)和写使能(WE)输入控制。所有写操作通过片上同步自定时写电路进行。三个同步芯片使能(CE1(上划线)、CE2、CE3(上划线))和一个异步输出使能(OE)便于进行存储体选择和输出三态控制。为避免总线争用,在写序列的数据部分,输出驱动器同步三态化。
商品特性
- 引脚兼容和功能等效
- 支持200兆赫兹总线操作,零等待状态,可用速度等级为200和167兆赫兹
- 内部自定时输出缓冲控制,无需使用异步OE
- 完全寄存器化,用于流水线操作
- 字节写入能力
- 3.3伏核心电源电压,3.3伏/2.5伏输入/输出电源电压
- 快速时钟到输出时间,对于200兆赫兹器件为3.0纳秒
- 时钟使能引脚可暂停操作
- 同步自定时写入
- 采用标准无铅100引脚薄型四方扁平封装
- 突发能力,支持线性或交错突发顺序
- 睡眠模式选项和停止时钟选项
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