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CY7C419-20JI实物图
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CY7C419-20JI

CY7C419-20JI

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商品型号
CY7C419-20JI
商品编号
C2954820
商品封装
PLCC-32(11.43x13.97)​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录FIFO存储器
存储容量256x9
时钟频率(fc)33.3MHz
工作电压4.5V~5.5V
工作电流90mA
访问时间20ns
属性参数值
功能异步
总线方向单向
可编程标志支持
工作温度-40℃~+85℃
功能特性自动重传功能;输出使能;上电自动复位

商品概述

CY7C419、CY7C420/1、CY7C424/5、CY7C428/9和CY7C432/3是先进先出(FIFO)存储器,有600密耳宽和300密耳宽的封装形式。它们分别为256、512、1024、2048和4096字,宽度为9位。每个FIFO存储器的组织方式使得数据按写入的顺序读取。提供了满标志和空标志以防止溢出和下溢。还提供了三个额外的引脚,便于在宽度、深度或两者上进行无限扩展。深度扩展技术可将控制信号从一个器件并行导向另一个器件,从而消除了传播延迟的串行累加,使吞吐量不会降低。数据的导向方式类似。读写操作可以是异步的,每个操作的速率可达50.0MHz。写操作在写信号(W上划线)为低电平时发生,读操作在读信号(R上划线)为低电平时发生。当R上划线为高电平时,九个数据输出进入高阻态。半满(HF)输出标志在独立和宽度扩展配置中有效。在深度扩展配置中,该引脚提供扩展输出(XO)信息,用于告知下一个FIFO它将被激活。在独立和宽度扩展配置中,重传(RT)输入为低电平会使FIFO重传数据。重传期间,读使能(R上划线)和写使能(W上划线)必须都为高电平,然后使用R上划线访问数据。CY7C419、CY7C420、CY7C421、CY7C424、CY7C425、CY7C428、CY7C429、CY7C432和CY7C433采用先进的0.65微米P阱CMOS技术制造。输入ESD保护大于2000V,通过精心布局和保护环防止闩锁。

商品特性

  • 256×9、512×9、1024×9、2048×9和4096×9的FIFO缓冲存储器
  • 双端口RAM单元
  • 异步读写
  • 高速50.0MHz读写,与深度/宽度无关
  • 低工作功耗
  • ICC1 = 35mA
  • 独立模式下的半满标志
  • 空标志和满标志
  • 独立模式下的重传功能
  • 宽度和深度可扩展
  • 并行级联可最大程度减少直通延迟
  • 5V ± 10%电源
  • 300密耳DIP封装
  • 7x7 TQFP封装
  • 300密耳SOJ封装
  • TTL兼容
  • 三态输出
  • 引脚兼容,功能等同于IDT7200、IDT7201、IDT7202、IDT7203和IDT7204

数据手册PDF