CY7C419-10JCT
CY7C419-10JCT
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- 商品型号
- CY7C419-10JCT
- 商品编号
- C2954826
- 商品封装
- PLCC-32(11.43x13.97)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | FIFO存储器 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动重传功能；输出使能 |
商品概述
CY7C419、CY7C420/1、CY7C424/5、CY7C428/9和CY7C432/3是先进先出（FIFO）存储器，有600密耳宽和300密耳宽的封装。它们分别为256、512、1024、2048和4096字，每个字9位宽。每个FIFO存储器的组织方式使得数据以写入的相同顺序被读取。提供满和空标志以防止溢出和欠载。还提供三个额外的引脚，以方便在宽度、深度或两者上进行无限扩展。深度扩展技术将控制信号从一个设备并行导向另一个设备，从而消除了传播延迟的串行累加，因此不会降低吞吐量。数据以类似的方式导向。读写操作可以是异步的，每个操作的速率可达50.0MHz。写操作在写信号（W上划线）为低电平时发生。读操作在读信号（R上划线）为低电平时发生。当R上划线为高电平时，九个数据输出进入高阻抗状态。提供半满（HF）输出标志，在独立和宽度扩展配置中有效。在深度扩展配置中，该引脚提供扩展输出（XO）信息，用于告知下一个FIFO它将被激活。在独立和宽度扩展配置中，重传（RT）输入为低电平会使FIFO重传数据。重传期间，读使能（R）和写使能（W）必须都为高电平，然后使用R来访问数据。CY7C419、CY7C420、CY7C421、CY7C424、CY7C425、CY7C428、CY7C429、CY7C432和CY7C433采用先进的0.65微米P阱CMOS技术制造。输入ESD保护大于2000V，通过精心布局和保护环防止闩锁。
商品特性
- 异步先进先出（FIFO）缓冲存储器
- 256×9（CY7C419）
- 512×9（CY7C421）
- 1K×9（CY7C425）
- 2K×9（CY7C429）
- 4K×9（CY7C433）
- 双端口RAM单元
- 高速50.0MHz读写，与深度/宽度无关
- 低工作功耗：ICC = 35mA
- 空和满标志（独立模式下有半满标志）
- TTL兼容
- 独立模式下重传
- 宽度可扩展
- PLCC、7x7 TQFP、SOJ、300密耳和600密耳DIP封装
- 提供无铅封装
- 引脚兼容且功能等同于IDT7200、IDT7201、IDT7202、IDT7203、IDT7204、AM7200、AM7201、AM7202、AM7203和AM7204