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CY7C429-20VC引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C429-20VC

CY7C429-20VC

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商品型号
CY7C429-20VC
商品编号
C2959555
商品封装
SOJ-28​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录FIFO存储器
存储容量2Kx9
时钟频率(fc)33.3MHz
工作电压4.5V~5.5V
工作电流55mA
访问时间20ns
属性参数值
功能异步
总线方向单向
可编程标志支持
工作温度0℃~+70℃
功能特性自动重传功能;输出使能;上电自动复位

商品概述

CY7C420/CY7C421、CY7C424/CY7C425和CY7C429是先入先出(FIFO)存储器,有600密耳宽和300密耳宽的封装。它们分别为512、1024和2048字,每个字9位宽。每个FIFO存储器的组织方式使得数据按照写入的顺序依次读出。提供满标志和空标志以防止溢出和欠载。还提供了三个额外的引脚,便于在宽度、深度或两者上进行无限扩展。深度扩展技术将控制信号从一个器件并行传输到另一个器件,从而消除了传播延迟的串行累加,因此不会降低吞吐量。数据的传输方式类似。读写操作可以是异步的,每个操作的速率可达33.3 MHz。写操作在写信号(W上划线)为低电平时发生。读操作在读信号(R上划线)为低电平时发生。当R上划线为高电平时,九个数据输出进入高阻态。提供了一个半满(HF)输出标志,在独立和宽度扩展配置中有效。在深度扩展配置中,该引脚提供扩展输出(XO)信息,用于告知下一个FIFO将被激活。在独立和宽度扩展配置中,重传(R)输入为低电平会使FIFO重传数据。重传期间,读使能(R)和写使能(W)必须都为高电平,然后使用R来访问数据。CY7C420、CY7C421、CY7C424、CY7C425、CY7C428和CY7C429采用先进的0.8微米N阱CMOS技术制造。输入ESD保护大于2000V,通过精心布局、保护环和衬底偏置发生器防止闩锁。

商品特性

  • 512 x 9、1024 x 9、2048 x 9 FIFO缓冲存储器
  • 双端口RAM单元
  • 异步读写
  • 高速33.3 MHz读写,与深度/宽度无关
  • 低工作功耗
  • ICC(最大值) = 142 mA(商用)
  • ICC(最大值) = 147mA
  • 独立模式下的半满标志
  • 空标志和满标志
  • 独立模式下的重传功能
  • 宽度和深度可扩展
  • 并行级联可最大程度减少直通气泡
  • 5V ± 10%电源
  • 300密耳DIP封装
  • 300密耳SOJ封装
  • TTL兼容
  • 三态输出
  • 引脚与ID17201、ID17202和ID17203兼容且功能等效

数据手册PDF