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KIA50N06CD
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- KIA50N06C是一款N沟道增强型功率MOSFET场效应晶体管。其经过改进的工艺和单元结构专门针对降低导通电阻、提供卓越的开关性能而设计。该器件广泛应用于不间断电源（UPS）、逆变器系统的电源管理领域
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KIA50N06CD
- 商品编号
- C2931913
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.461克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.45nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
N沟道MOSFET
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20 V
- 漏极电流（ID） = 4.5 A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 4.5 V时） < 35 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 2.5 V时） < 45 mΩ
- 沟槽功率MOSFET技术
- 高功率和电流处理能力
- 用于降低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计
应用领域
- 直流-直流转换器-LED驱动器-开关电路