温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOD464
N沟道增强型场效应管,电流:40A,耐压:105V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOD464
- 商品编号
- C2931058
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.613克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 105V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.445nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WNM6006是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可实现低栅极电荷下的出色导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM6006符合RoHS标准。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 低导通电阻
- 封装PDFN5X6-8L
应用领域
- DC/DC转换器-电源转换器电路-便携式设备的负载/电源开关