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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 105V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.445nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WNM6006是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可实现低栅极电荷下的出色导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM6006符合RoHS标准。
商品特性
- 漏源电压VDS = 105V
- 漏极电流ID = 40A(栅源电压VGS = 10V)
- 导通电阻RDS(ON) < 28mΩ(VGS = 10V,电流20A时)
- 导通电阻RDS(ON) < 31mΩ(VGS = 6V)
- 100%经过非钳位感性负载(UIS)测试!
- 100%经过栅极电阻(Rg)测试!
应用领域
- 高压同步整流
- 负载开关
- 通用应用