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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.37nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 258pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
FH8205A采用先进技术，可实现快速开关、低导通电阻和高性价比。该器件适用于所有商业工业表面贴装应用。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) ≤ 26 mΩ
- 超低栅极电荷（典型值23 nC）
- 低反向传输电容（CRSS典型值150 pF）
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力，高耐用性