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AON2408
1个N沟道 耐压:20V 电流:32A
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- 描述
- 将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的导通电阻。该器件适用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON2408
- 商品编号
- C2931064
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 782pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 158pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：采用超级结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.055Ω（典型值）
- 栅极开关易于控制
- 增强型：Vth = 2.7至3.7 V（VDS = 10 V，ID = 1.9 mA）
应用领域
- 开关稳压器