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STP5NK80ZFP
1个N沟道 耐压:800V 电流:4.3A
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- 描述
- SuperMESH系列通过对基于条形的PowerMESH布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外，还特别确保了在最苛刻的应用中具有良好的dv/dt能力。该系列补充了高压MOSFET的全系列产品，包括创新的MDmesh产品。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP5NK80ZFP
- 商品编号
- C2931109
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 98pF |
商品概述
UTC 2N60-LC1是一款N沟道功率MOSFET，采用先进技术，为客户提供最低导通电阻和卓越的开关性能。 UTC 2N60-LC1通常应用于低功率开关模式电源设备和电子镇流器。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 1.0A条件下，RDS(ON) ≤ 5.0Ω
- 开关速度快
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 低功率开关模式电源设备
- 电子镇流器