MMBZ15VALT1G
单向 12V截止 峰值浪涌电流:1.9A
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- 描述
- 双片式硅齐纳二极管专为需要瞬态过电压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- MMBZ15VALT1G
- 商品编号
- C2931135
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 12V | |
| 钳位电压 | 21V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 1.9A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 15V | |
| 反向电流(Ir) | 50uA | |
| 通道数 | 双路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 |
优惠活动
购买数量
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